逃不开的宿命,Intel将内存与硬盘合体

   DRAM内存速度快、延迟低,但是掉电就会丢失数据,机械、固态存储则正好相反,所以一直以来都是泾渭分明,而现在,有一种技术意欲通吃两大领域,这就是Intel 3D XPoint。

  这是一种基于电阻的非易失性内存存储方案,读取延迟10纳秒级别,使用寿命即全盘写入1000万次级别,均介于传统DRAM、NAND之间。它的定位并不是取代DRAM和/或NAND,而是在它们之外的补充。

  非易失性技术方案很多,Intel 3D XPoint是第一个完整成熟起来并快速投入商用化的。IDF 2015峰会上,Intel昨天已经宣布了基于该技术的Optane固态硬盘,将会从今年底开始陆续进入数据中心和笔记本,提供M.2、U.2、PCI-E等多种规格,比传统固态硬盘快足足5-7倍,更具体的规格将在稍后公布。

  今天,Intel又宣布了同样基于3D XPoint技术的DIMM内存条,号称可比传统DDR内存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本,而且接口和电气特性兼容现有DDR4,可平滑过渡。

  这也是历史上第一次将非易失性技术应用于系统主内存。

  3D XPoint DIMM内存主要面向数据中心、大数据分析,具体发布时间未公布。

  以后,我们的内存、硬盘都可以是同一种介质了。

内存硬盘合体!Intel全球首创非易失性内存

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